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Se um semicondutor tipo P é colocado junto a um do tipo N, na região de contato, chamada junção, haverá a formação de uma barreira de potencial.

Lembrar que, no estado normal, o semicondutor é eletricamente neutro pois os átomos tanto do semicondutor quanto da impureza têm iguais números de elétrons e prótons.

Na junção, os elétrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial.

Em um diodo de germânio essa barreira tem o valor aproximado de 0,3V e em um de silício de 0,7 V.

Espero ter ajudado. Por favor não se esqueça de escolher a melhor resposta. Abraços e boa sorte...